單變壓器雙晶體管自激振蕩變換器

       圖表示了一個非常基本的電流增益限制雙晶體管飽和變壓器變換器的電路，有時也稱作為DC變壓器。在這種形式的變換器中，主變壓器工作于飽和狀態，磁心損耗較大；因此該變壓器效率不高。還有，開關晶體管的較大集電極電流與增益有關，并沒有特別限定。因此這種形式的變換器更適合于低功率的應用場合，典型的功率是1~25W。

由于工作于全導通方波推挽狀態，整流后的輸出近乎于直流，因此這種結構可以有比在第14章中討論的反激變換器高得多的副邊電流。因為原邊晶體管承受的電壓應力至少是充電器電壓的兩倍，所以這種變換器應該用于較低輸入電壓的應用場合。

 工作原理（增益限制開關）

 圖中所示的電路的工作情況如下。

開始導通時，起始電流經R1流向Q1和Q2的基級。此時具有較低V或較高增益的晶體管首先導通，本例中假設Q1先導通。

由于Q1導通，所有繞組的末端為負（起始端為正），來自驅動繞組P2的正反饋使Q的基極更正，而Q2的基極更負。因此Q1將迅速進入全飽和導通狀態。

現在充電器電壓Vcc加在主變壓器左邊原邊繞組P1兩端，Q1集電極中流過的電流是磁化電流加折算過來的負載電流。

在導通期間，磁心的磁通密度向著飽和方向增加，如圖中的點S。經過由磁心尺寸、飽和磁通值，和原邊匝數所決定的一段時間后，磁心達到飽和狀態。

在S1點，H迅速增加，使集電極電流也大量增加。這個過程一直持續到受到Q1的增益限制，這個限制是防止集電極電流進一步增加。在該點磁場H不再進一步增加，將不能維持所需的B的變化率（dB／dt）。結果，原邊繞組兩邊的電壓降低，Q1集電極上的電壓將上升到充電器電壓。

隨著原邊繞組兩邊的電壓降低，P2上的基極驅動電壓也降低，Q1將關斷。

由于B／H特性頂部限定的斜率（飽和后導磁率），從S1到S2變壓器中存在反激作用，因為dB／dt現在為負，所有繞組上的電壓將改變方向。這將進一步促使Q1關斷，Q2開始導通。

通過反饋作用，Q2導通，Q1關斷，工作周期在原邊另一半繞組中重復。磁心中的磁通從S2向S變化，又重復關斷作用。

注意：關斷作用的出現是由晶體管的電流增益限制引起的。由于集電極電流隨元件的類型和溫度而變化，所以這種限制作用并不是很精確。對于高增益晶體管，在受到增益限制之前就有較大的集電極電流流過。這使開關效率變差，并帶來EMI（電磁干擾）問題。還有，如果沒有仔細選擇正確的（低的）電流增益和額定值，在某些條件下，失去限制的集電極電流可能導致開關元件損壞。