片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

網(wǎng)站首頁(yè) » 新聞 » 行業(yè)動(dòng)態(tài) » 片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

片狀多層陶瓷電容應(yīng)該是出貨量較大的電容，制造商也比較多，像三大日系TDK、muRata、Taiyo Yuden，美系像KEMET、AVX(已經(jīng)被日本京瓷收購(gòu)了)。

Class I電容

Class I電容應(yīng)用較多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。

C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

因此，通常只需要關(guān)注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對(duì)比。

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見(jiàn)GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場(chǎng)合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。

Class II和Class III電容

Class II和Class III電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源適配器去耦或者信號(hào)旁路。

以Murata一款22uF、6.3V、X5R電容為例，相關(guān)特性曲線：

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

容值

Class II和Class III電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時(shí)，電容都有一定的直流偏置，電容量比標(biāo)稱值小很多，所以要注意實(shí)際容值是否滿足設(shè)計(jì)要求。

紋波電流

作為DCDC的輸入和輸出電容，都會(huì)有一定的紋波電流，由于ESR的存在會(huì)導(dǎo)致一定的溫升。加上環(huán)境溫度，不能超過(guò)電容的額定溫度，例如X5R電容較高額度溫度是85℃。

通常由于多層陶瓷電容ESR較小，能承受的紋波電流較大。

自諧振頻率

電容由于ESL的存在，都有一個(gè)自諧振頻率。大容量的電容，自諧振頻率較低，只有1-2MHz。所以，為了提高電源適配器的高頻效應(yīng)，大量小容值的去耦電容是必須的。此外，對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率很高的DCDC芯片，要注意輸入輸出電容的自諧振頻率。

ESR

設(shè)計(jì)DCDC電路，需要知道輸出電容的ESR，來(lái)計(jì)算輸出電壓紋波。多層陶瓷電容的ESR通常較低，大約幾到幾十毫歐。

文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。

| 發(fā)布時(shí)間：2018.06.20 來(lái)源：電源適配器廠家

上一個(gè)：PCB layout布板細(xì)節(jié)

下一個(gè)：MOSFET密勒效應(yīng)的計(jì)算與分析

東莞市玖琪實(shí)業(yè)有限公司專業(yè)生產(chǎn)：電源適配器、充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源、車載充電器、開(kāi)關(guān)電源等....

電源適配器

新聞分類

聯(lián)系我們

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介

片狀多層陶瓷電容簡(jiǎn)介